IRF9956PBF

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Artikelnummer IRF9956PBF
LIXINC Part # IRF9956PBF
Hersteller IR (Infineon Technologies)
Kategorie Diskreter HalbleiterTransistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle IRF9956PBF PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung May 10 - May 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IRF9956PBF Spezifikationen

Artikelnummer:IRF9956PBF
Marke:IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:IR (Infineon Technologies)
Serie:HEXFET®
Paket:Tube
Teilstatus:Discontinued at Digi-Key
fet-Typ:2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):30V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:3.5A
rds auf (max) @ id, vgs:100mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:14nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:190pF @ 15V
Leistung max:2W
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Paket / Koffer:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten:8-SO

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