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EPC2105ENGRT

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Artikelnummer	EPC2105ENGRT
LIXINC Part #	EPC2105ENGRT
Hersteller	EPC
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	EPC2105ENGRT PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	May 21 - May 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

EPC2105ENGRT Spezifikationen

Artikelnummer:	EPC2105ENGRT
Marke:	EPC
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	EPC
Serie:	eGaN®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Discontinued at Digi-Key
fet-Typ:	2 N-Channel (Half Bridge)
fet-Funktion:	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (vdss):	80V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	9.5A
rds auf (max) @ id, vgs:	14.5mOhm @ 20A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 2.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	2.5nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	300pF @ 40V
Leistung max:	-
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	Die
Gerätepaket des Lieferanten:	Die