SI8904EDB-T2-E1 | Vishay / Siliconix SI8904EDB-T2-E1 | SI8904EDB-T2-E1 Inventory, Best Pricing

SI8904EDB-T2-E1

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	SI8904EDB-T2-E1
LIXINC Part #	SI8904EDB-T2-E1
Hersteller	Vishay / Siliconix
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6-MFP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SI8904EDB-T2-E1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	May 21 - May 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

SI8904EDB-T2-E1 Spezifikationen

Artikelnummer:	SI8904EDB-T2-E1
Marke:	Vishay / Siliconix
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	Vishay / Siliconix
Serie:	TrenchFET®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual) Common Drain
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	30V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	3.8A
rds auf (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (max) @ id:	1.6V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	-
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	-
Leistung max:	1W
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	6-MICRO FOOT®CSP
Gerätepaket des Lieferanten:	6-Micro Foot™ (2.36x1.56)