MMBFJ113

MMBFJ113
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Artikelnummer MMBFJ113
LIXINC Part # MMBFJ113
Hersteller Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie Diskreter HalbleiterTransistoren - JFETs
Beschreibung JFET N-CH 35V 350MW SOT23
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle MMBFJ113 PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Jun 15 - Jun 19 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MMBFJ113 Spezifikationen

Artikelnummer:MMBFJ113
Marke:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - JFETs
Hersteller:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:-
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Spannung - Durchbruch (v(br)gss):35 V
Drain-Source-Spannung (vdss):-
Strom - Drain (idss) @ vds (vgs=0):2 mA @ 15 V
Stromaufnahme (id) - max:-
Spannung - Cutoff (vgs aus) @ id:500 mV @ 1 µA
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:-
Widerstand - rds(on):100 Ohms
Leistung max:350 mW
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Paket / Koffer:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten:SOT-23-3

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