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RQA0002DNSTB-E

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Artikelnummer	RQA0002DNSTB-E
LIXINC Part #	RQA0002DNSTB-E
Hersteller	Renesas Electronics America
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 16V 3.8A 2HWSON
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	RQA0002DNSTB-E PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	May 18 - May 22 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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RQA0002DNSTB-E Spezifikationen

Artikelnummer:	RQA0002DNSTB-E
Marke:	Renesas Electronics America
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Renesas Electronics America
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	16 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	3.8A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	-
rds auf (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (max) @ id:	750mV @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	102 pF @ 0 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	15W (Tc)
Betriebstemperatur:	150°C
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	2-HWSON (5x4)
Paket / Koffer:	3-DFN Exposed Pad

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