Nur als Referenz
Artikelnummer | IRF640 |
LIXINC Part # | IRF640 |
Hersteller | STMicroelectronics |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | IRF640 PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Jun 02 - Jun 06 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | |
Versand |
Artikelnummer: | IRF640 |
Marke: | STMicroelectronics |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Serie: | MESH OVERLAY™ |
Paket: | Tube |
Teilstatus: | Obsolete |
fet-Typ: | N-Channel |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (vdss): | 200 V |
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C: | 18A (Tc) |
Antriebsspannung (max rds an, min rds an): | 10V |
rds auf (max) @ id, vgs: | 180mOhm @ 9A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 4V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | 72 nC @ 10 V |
vgs (max): | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 1560 pF @ 25 V |
fet-Funktion: | - |
Verlustleistung (max.): | 125W (Tc) |
Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Gerätepaket des Lieferanten: | TO-220AB |
Paket / Koffer: | TO-220-3 |
IRFZ34S | MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK | 828 Mehr auf Bestellung |
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STS25NH3LL-E | MOSFET N-CH 30V 25A 8SO | 879 Mehr auf Bestellung |
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IRFP17N50L | MOSFET N-CH 500V 16A TO247-3 | 964 Mehr auf Bestellung |
Auf Lager | 10821 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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