IRFS4227PBF | IR (Infineon Technologies) IRFS4227PBF | IRFS4227PBF Inventory, Best Pricing

IRFS4227PBF

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	IRFS4227PBF
LIXINC Part #	IRFS4227PBF
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IRFS4227PBF PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	May 22 - May 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

IRFS4227PBF Spezifikationen

Artikelnummer:	IRFS4227PBF
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	HEXFET®
Paket:	Tube
Teilstatus:	Discontinued at Digi-Key
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	200 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	62A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	26mOhm @ 46A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	98 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	4600 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	330W (Tc)
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	D2PAK
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB