Nur als Referenz
Artikelnummer | SCT20N120 |
LIXINC Part # | SCT20N120 |
Hersteller | STMicroelectronics |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Beschreibung | SICFET N-CH 1200V 20A HIP247 |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | SCT20N120 PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | May 18 - May 22 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | |
Versand |
Artikelnummer: | SCT20N120 |
Marke: | STMicroelectronics |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Serie: | - |
Paket: | Tube |
Teilstatus: | Active |
fet-Typ: | N-Channel |
Technologie: | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain-Source-Spannung (vdss): | 1200 V |
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C: | 20A (Tc) |
Antriebsspannung (max rds an, min rds an): | 20V |
rds auf (max) @ id, vgs: | 290mOhm @ 10A, 20V |
vgs(th) (max) @ id: | 3.5V @ 1mA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | 45 nC @ 20 V |
vgs (max): | +25V, -10V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 650 pF @ 400 V |
fet-Funktion: | - |
Verlustleistung (max.): | 175W (Tc) |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Gerätepaket des Lieferanten: | HiP247™ |
Paket / Koffer: | TO-247-3 |
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Auf Lager | 11415 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $13.63000 | $13.63 |
30 | $12.12663 | $363.7989 |
120 | $10.80788 | $1296.9456 |
510 | $9.72873 | $4961.6523 |
1020 | $9.00929 | $9189.4758 |
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