RS1E200GNTB | ROHM Semiconductor RS1E200GNTB | RS1E200GNTB Inventory, Best Pricing

RS1E200GNTB

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	RS1E200GNTB
LIXINC Part #	RS1E200GNTB
Hersteller	ROHM Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	RS1E200GNTB PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jun 04 - Jun 08 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

RS1E200GNTB Spezifikationen

Artikelnummer:	RS1E200GNTB
Marke:	ROHM Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	20A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	4.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	16.8 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1080 pF @ 15 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	3W (Ta), 25.1W (Tc)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-HSOP
Paket / Koffer:	8-PowerTDFN