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Artikelnummer | BSS314PEH6327XTSA1 |
LIXINC Part # | BSS314PEH6327XTSA1 |
Hersteller | IR (Infineon Technologies) |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Beschreibung | MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3 |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | BSS314PEH6327XTSA1 PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Jun 02 - Jun 06 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
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Artikelnummer: | BSS314PEH6327XTSA1 |
Marke: | IR (Infineon Technologies) |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Hersteller: | IR (Infineon Technologies) |
Serie: | OptiMOS™ |
Paket: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
Teilstatus: | Active |
fet-Typ: | P-Channel |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (vdss): | 30 V |
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C: | 1.5A (Ta) |
Antriebsspannung (max rds an, min rds an): | 4.5V, 10V |
rds auf (max) @ id, vgs: | 140mOhm @ 1.5A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 2V @ 6.3µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | 2.9 nC @ 10 V |
vgs (max): | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 294 pF @ 15 V |
fet-Funktion: | - |
Verlustleistung (max.): | 500mW (Ta) |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten: | SOT-23-3 |
Paket / Koffer: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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Auf Lager | 21644 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.44000 | $0.44 |
3000 | $0.09224 | $276.72 |
6000 | $0.08375 | $502.5 |
15000 | $0.07526 | $1128.9 |
30000 | $0.07101 | $2130.3 |
75000 | $0.06379 | $4784.25 |
150000 | $0.06167 | $9250.5 |
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