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Artikelnummer | SIUD412ED-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SIUD412ED-T1-GE3 |
Hersteller | Vishay / Siliconix |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Beschreibung | MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806 |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | SIUD412ED-T1-GE3 PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Jun 15 - Jun 19 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
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Artikelnummer: | SIUD412ED-T1-GE3 |
Marke: | Vishay / Siliconix |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Hersteller: | Vishay / Siliconix |
Serie: | TrenchFET® |
Paket: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
Teilstatus: | Active |
fet-Typ: | N-Channel |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (vdss): | 12 V |
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C: | 500mA (Tc) |
Antriebsspannung (max rds an, min rds an): | 1.2V, 4.5V |
rds auf (max) @ id, vgs: | 340mOhm @ 500mA, 4.5V |
vgs(th) (max) @ id: | 900mV @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | 0.71 nC @ 4.5 V |
vgs (max): | ±5V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 21 pF @ 6 V |
fet-Funktion: | - |
Verlustleistung (max.): | 1.25W (Ta) |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten: | PowerPAK® 0806 |
Paket / Koffer: | PowerPAK® 0806 |
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Auf Lager | 16422 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.41000 | $0.41 |
3000 | $0.07656 | $229.68 |
6000 | $0.06695 | $401.7 |
15000 | $0.05735 | $860.25 |
30000 | $0.05414 | $1624.2 |
75000 | $0.05094 | $3820.5 |
150000 | $0.04454 | $6681 |
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