Nur als Referenz
Artikelnummer | IRLML6344TRPBF |
LIXINC Part # | IRLML6344TRPBF |
Hersteller | IR (Infineon Technologies) |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23 |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | IRLML6344TRPBF PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Jun 02 - Jun 06 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | |
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Artikelnummer: | IRLML6344TRPBF |
Marke: | IR (Infineon Technologies) |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Hersteller: | IR (Infineon Technologies) |
Serie: | HEXFET® |
Paket: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
Teilstatus: | Active |
fet-Typ: | N-Channel |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (vdss): | 30 V |
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C: | 5A (Ta) |
Antriebsspannung (max rds an, min rds an): | 2.5V, 4.5V |
rds auf (max) @ id, vgs: | 29mOhm @ 5A, 4.5V |
vgs(th) (max) @ id: | 1.1V @ 10µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | 6.8 nC @ 4.5 V |
vgs (max): | ±12V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 650 pF @ 25 V |
fet-Funktion: | - |
Verlustleistung (max.): | 1.3W (Ta) |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten: | Micro3™/SOT-23 |
Paket / Koffer: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
HUF76619D3ST | MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA | 5487 Mehr auf Bestellung |
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VN2222LLRLRA | MOSFET N-CH 60V 150MA TO92-3 | 956 Mehr auf Bestellung |
Auf Lager | 10821 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.46000 | $0.46 |
3000 | $0.14477 | $434.31 |
6000 | $0.13600 | $816 |
15000 | $0.12723 | $1908.45 |
30000 | $0.11670 | $3501 |
75000 | $0.11231 | $8423.25 |
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