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Artikelnummer | SI3437DV-T1-E3 |
LIXINC Part # | SI3437DV-T1-E3 |
Hersteller | Vishay / Siliconix |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Beschreibung | MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | SI3437DV-T1-E3 PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Jun 02 - Jun 06 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | |
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Artikelnummer: | SI3437DV-T1-E3 |
Marke: | Vishay / Siliconix |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Hersteller: | Vishay / Siliconix |
Serie: | TrenchFET® |
Paket: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
Teilstatus: | Active |
fet-Typ: | P-Channel |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (vdss): | 150 V |
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C: | 1.4A (Tc) |
Antriebsspannung (max rds an, min rds an): | 6V, 10V |
rds auf (max) @ id, vgs: | 750mOhm @ 1.4A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 4V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | 19 nC @ 10 V |
vgs (max): | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 510 pF @ 50 V |
fet-Funktion: | - |
Verlustleistung (max.): | 2W (Ta), 3.2W (Tc) |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten: | 6-TSOP |
Paket / Koffer: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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Auf Lager | 16095 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.97000 | $0.97 |
3000 | $0.41546 | $1246.38 |
6000 | $0.38850 | $2331 |
15000 | $0.37501 | $5625.15 |
30000 | $0.36766 | $11029.8 |
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