Nur als Referenz
Artikelnummer | FDB3632 |
LIXINC Part # | FDB3632 |
Hersteller | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | FDB3632 PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Jun 02 - Jun 06 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | |
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Artikelnummer: | FDB3632 |
Marke: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Hersteller: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Serie: | PowerTrench® |
Paket: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
Teilstatus: | Active |
fet-Typ: | N-Channel |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (vdss): | 100 V |
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C: | 12A (Ta), 80A (Tc) |
Antriebsspannung (max rds an, min rds an): | 6V, 10V |
rds auf (max) @ id, vgs: | 9mOhm @ 80A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 4V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | 110 nC @ 10 V |
vgs (max): | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 6000 pF @ 25 V |
fet-Funktion: | - |
Verlustleistung (max.): | 310W (Tc) |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten: | D²PAK |
Paket / Koffer: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
NTB10N40 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 859 Mehr auf Bestellung |
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IXTH130N15X4 | MOSFET N-CH 150V 130A TO247 | 862261 Mehr auf Bestellung |
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PSMN6R4-30MLDX | MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK33 | 2160 Mehr auf Bestellung |
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TK14A65W5,S5X | MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220SIS | 917 Mehr auf Bestellung |
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RSS065N06FRATB | MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP | 901 Mehr auf Bestellung |
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STD2N62K3 | MOSFET N-CH 620V 2.2A DPAK | 13365 Mehr auf Bestellung |
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STI55NF03L | MOSFET N-CH 30V 55A I2PAK | 920 Mehr auf Bestellung |
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IPD60R180C7ATMA1 | MOSFET N-CH 600V 13A TO252-3 | 3293 Mehr auf Bestellung |
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SIHD12N50E-GE3 | MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK | 3103 Mehr auf Bestellung |
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FDB8444 | MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB | 6302514 Mehr auf Bestellung |
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UPA1725G-E1-A | N-CHANNEL POWER MOSFET | 3329 Mehr auf Bestellung |
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PMPB40SNA115 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 59970 Mehr auf Bestellung |
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IRFR110PBF-BE3 | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK | 3813 Mehr auf Bestellung |
Auf Lager | 11659 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $3.21000 | $3.21 |
800 | $2.20451 | $1763.608 |
1600 | $2.06514 | $3304.224 |
2400 | $1.96759 | $4722.216 |
5600 | $1.89791 | $10628.296 |
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