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HTNFET-D

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Artikelnummer	HTNFET-D
LIXINC Part #	HTNFET-D
Hersteller	Honeywell Aerospace
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 55V 8CDIP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	HTNFET-D PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jun 14 - Jun 18 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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HTNFET-D Spezifikationen

Artikelnummer:	HTNFET-D
Marke:	Honeywell Aerospace
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Honeywell Aerospace
Serie:	HTMOS™
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	55 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	-
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	5V
rds auf (max) @ id, vgs:	400mOhm @ 100mA, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2.4V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	4.3 nC @ 5 V
vgs (max):	10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	290 pF @ 28 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	50W (Tj)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 225°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	8-CDIP-EP
Paket / Koffer:	8-CDIP Exposed Pad