AOTF3N100 | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. AOTF3N100

AOTF3N100

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	AOTF3N100
LIXINC Part #	AOTF3N100
Hersteller	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220-3F
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	AOTF3N100 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jun 02 - Jun 06 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

AOTF3N100 Spezifikationen

Artikelnummer:	AOTF3N100
Marke:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	1000 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	2.8A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	6Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	20 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	830 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	38W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220-3F
Paket / Koffer:	TO-220-3 Full Pack