APT8024B2LLG | Microsemi APT8024B2LLG | APT8024B2LLG Inventory, Best Pricing

APT8024B2LLG

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	APT8024B2LLG
LIXINC Part #	APT8024B2LLG
Hersteller	Microsemi
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	APT8024B2LLG PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jun 02 - Jun 06 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

APT8024B2LLG Spezifikationen

Artikelnummer:	APT8024B2LLG
Marke:	Microsemi
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Microsemi
Serie:	POWER MOS 7®
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	800 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	31A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	240mOhm @ 15.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 2.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	160 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	4670 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	565W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	T-MAX™ [B2]
Paket / Koffer:	TO-247-3 Variant