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3LN01C-TB-E

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Artikelnummer	3LN01C-TB-E
LIXINC Part #	3LN01C-TB-E
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	3LN01C-TB-E PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	May 14 - May 18 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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3LN01C-TB-E Spezifikationen

Artikelnummer:	3LN01C-TB-E
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	150mA (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	1.5V, 4V
rds auf (max) @ id, vgs:	3.7Ohm @ 80mA, 4V
vgs(th) (max) @ id:	-
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	1.58 nC @ 10 V
vgs (max):	±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	7 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	250mW (Ta)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	3-CP
Paket / Koffer:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3