LND01K1-G | Roving Networks / Microchip Technology LND01K1-G

LND01K1-G

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Artikelnummer	LND01K1-G
LIXINC Part #	LND01K1-G
Hersteller	Roving Networks / Microchip Technology
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	LND01K1-G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	May 20 - May 24 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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LND01K1-G Spezifikationen

Artikelnummer:	LND01K1-G
Marke:	Roving Networks / Microchip Technology
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Roving Networks / Microchip Technology
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	9 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	330mA (Tj)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	0V
rds auf (max) @ id, vgs:	1.4Ohm @ 100mA, 0V
vgs(th) (max) @ id:	-
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	+0.6V, -12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	46 pF @ 5 V
fet-Funktion:	Depletion Mode
Verlustleistung (max.):	360mW (Ta)
Betriebstemperatur:	-25°C ~ 125°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	SOT-23-5
Paket / Koffer:	SC-74A, SOT-753

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