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Artikelnummer | IRFB4710PBF |
LIXINC Part # | IRFB4710PBF |
Hersteller | IR (Infineon Technologies) |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | IRFB4710PBF PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | May 12 - May 16 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
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Artikelnummer: | IRFB4710PBF |
Marke: | IR (Infineon Technologies) |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Hersteller: | IR (Infineon Technologies) |
Serie: | HEXFET® |
Paket: | Tube |
Teilstatus: | Active |
fet-Typ: | N-Channel |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (vdss): | 100 V |
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C: | 75A (Tc) |
Antriebsspannung (max rds an, min rds an): | 10V |
rds auf (max) @ id, vgs: | 14mOhm @ 45A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 5.5V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | 170 nC @ 10 V |
vgs (max): | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 6160 pF @ 25 V |
fet-Funktion: | - |
Verlustleistung (max.): | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Gerätepaket des Lieferanten: | TO-220AB |
Paket / Koffer: | TO-220-3 |
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Auf Lager | 11808 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.64000 | $2.64 |
50 | $2.15600 | $107.8 |
100 | $1.95433 | $195.433 |
500 | $1.55100 | $775.5 |
1000 | $1.30900 | $1309 |
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