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Artikelnummer | IPP200N25N3GXKSA1 |
LIXINC Part # | IPP200N25N3GXKSA1 |
Hersteller | IR (Infineon Technologies) |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Beschreibung | MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3 |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | IPP200N25N3GXKSA1 PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Jun 02 - Jun 06 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | |
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Artikelnummer: | IPP200N25N3GXKSA1 |
Marke: | IR (Infineon Technologies) |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Hersteller: | IR (Infineon Technologies) |
Serie: | OptiMOS™ |
Paket: | Tube |
Teilstatus: | Active |
fet-Typ: | N-Channel |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (vdss): | 250 V |
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C: | 64A (Tc) |
Antriebsspannung (max rds an, min rds an): | 10V |
rds auf (max) @ id, vgs: | 20mOhm @ 64A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 4V @ 270µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | 86 nC @ 10 V |
vgs (max): | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 7100 pF @ 100 V |
fet-Funktion: | - |
Verlustleistung (max.): | 300W (Tc) |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Gerätepaket des Lieferanten: | PG-TO220-3 |
Paket / Koffer: | TO-220-3 |
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Auf Lager | 14248 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $7.43000 | $7.43 |
10 | $6.68501 | $66.8501 |
100 | $5.49641 | $549.641 |
500 | $4.60513 | $2302.565 |
1000 | $4.01093 | $4010.93 |
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