FDP032N08 | Rochester Electronics FDP032N08 | FDP032N08 Inventory, Best Pricing

FDP032N08

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	FDP032N08
LIXINC Part #	FDP032N08
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	120A, 75V, 0.0032OHM, N CHANNEL
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FDP032N08 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jun 16 - Jun 20 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

FDP032N08 Spezifikationen

Artikelnummer:	FDP032N08
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	*
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	75 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	120A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	3.2mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	220 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	15160 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	375W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220-3
Paket / Koffer:	TO-220-3