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Artikelnummer | NTD18N06LT4G |
LIXINC Part # | NTD18N06LT4G |
Hersteller | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | NTD18N06LT4G PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Jun 02 - Jun 06 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | |
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Artikelnummer: | NTD18N06LT4G |
Marke: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Hersteller: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Serie: | - |
Paket: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
Teilstatus: | Active |
fet-Typ: | N-Channel |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (vdss): | 60 V |
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C: | 18A (Ta) |
Antriebsspannung (max rds an, min rds an): | 5V |
rds auf (max) @ id, vgs: | 65mOhm @ 9A, 5V |
vgs(th) (max) @ id: | 2V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | 22 nC @ 5 V |
vgs (max): | ±15V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 675 pF @ 25 V |
fet-Funktion: | - |
Verlustleistung (max.): | 2.1W (Ta), 55W (Tj) |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten: | DPAK |
Paket / Koffer: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
BUK9516-75B,127 | PFET, 67A I(D), 75V, 0.018OHM, 1 | 1649 Mehr auf Bestellung |
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TPIC1533DWR | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 5937 Mehr auf Bestellung |
Auf Lager | 10986 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.86000 | $0.86 |
2500 | $0.86000 | $2150 |
5000 | $0.80067 | $4003.35 |
12500 | $0.77103 | $9637.875 |
25000 | $0.75485 | $18871.25 |
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