IGN1011L70 | Integra Technologies IGN1011L70 | IGN1011L70 Inventory, Best Pricing

IGN1011L70

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	IGN1011L70
LIXINC Part #	IGN1011L70
Hersteller	Integra Technologies
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Beschreibung	GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IGN1011L70 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jun 02 - Jun 06 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

IGN1011L70 Spezifikationen

Artikelnummer:	IGN1011L70
Marke:	Integra Technologies
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Hersteller:	Integra Technologies
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	GaN HEMT
Frequenz:	1.03GHz ~ 1.09GHz
gewinnen:	22dB
Spannung - testen:	50 V
Nennstrom (Ampere):	-
Rauschzahl:	-
Aktueller Test:	22 mA
Leistung:	80W
Spannung - bewertet:	120 V
Paket / Koffer:	PL32A2
Gerätepaket des Lieferanten:	PL32A2

BLF8G24LS-100GVJ	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C	985 Mehr auf Bestellung
MRF101AN	RF TRANSISTOR 100W TO-220	1180 Mehr auf Bestellung
MRF8P23080HSR5	FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI780S-4	903 Mehr auf Bestellung
MRFE6S9045NR1	FET RF 66V 880MHZ TO-270-2	1591 Mehr auf Bestellung
CGHV96130F	100W GAN HEMT 7.9-9.6GHZ 50-OHM	862 Mehr auf Bestellung
BLF7G27LS-100,118	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B	960 Mehr auf Bestellung
CLF1G0035-100PU	RF MOSFET HEMT 50V LDMOST	972 Mehr auf Bestellung
BLA9H0912L-250GU	BLA9H0912L-250G/SOT502/TRAY	985 Mehr auf Bestellung
MMBF5484	RF MOSFET N-CH JFET 15V SOT23-3	878 Mehr auf Bestellung
STAC3932B	TRANS RF PWR N-CH 580W STAC244B	873 Mehr auf Bestellung
BLP05H635XRGY	RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242	1030 Mehr auf Bestellung
MCH3414-EBM-TL-E	NCH 4V DRIVE SERIES	99902 Mehr auf Bestellung
MRF6V4300NBR5	RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	1265 Mehr auf Bestellung