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NTMD6N02R2

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Artikelnummer	NTMD6N02R2
LIXINC Part #	NTMD6N02R2
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	N-CHANNEL POWER MOSFET
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NTMD6N02R2 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jun 15 - Jun 19 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NTMD6N02R2 Spezifikationen

Artikelnummer:	NTMD6N02R2
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	20V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	3.92A
rds auf (max) @ id, vgs:	35mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	20nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1100pF @ 16V
Leistung max:	730mW
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten:	8-SOIC