NVMFD5C650NLT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVMFD5C650NLT1G

NVMFD5C650NLT1G

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Artikelnummer	NVMFD5C650NLT1G
LIXINC Part #	NVMFD5C650NLT1G
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NVMFD5C650NLT1G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	May 21 - May 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NVMFD5C650NLT1G Spezifikationen

Artikelnummer:	NVMFD5C650NLT1G
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	Automotive, AEC-Q101
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Standard
Drain-Source-Spannung (vdss):	60V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	21A (Ta), 111A (Tc)
rds auf (max) @ id, vgs:	4.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 98µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	16nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	2546pF @ 25V
Leistung max:	3.5W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-PowerTDFN
Gerätepaket des Lieferanten:	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)