BSD223PH6327XTSA1 | IR (Infineon Technologies) BSD223PH6327XTSA1 | BSD223PH6327XTSA1 Inventory, Best Pricing

BSD223PH6327XTSA1

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Artikelnummer	BSD223PH6327XTSA1
LIXINC Part #	BSD223PH6327XTSA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BSD223PH6327XTSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	May 19 - May 23 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BSD223PH6327XTSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	BSD223PH6327XTSA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	OptiMOS™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	2 P-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	20V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	390mA
rds auf (max) @ id, vgs:	1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.2V @ 1.5µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	0.62nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	56pF @ 15V
Leistung max:	250mW
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-SOT363-6

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