IPG20N04S409ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPG20N04S409ATMA1 | IPG20N04S409ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPG20N04S409ATMA1

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Artikelnummer	IPG20N04S409ATMA1
LIXINC Part #	IPG20N04S409ATMA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET N-CHANNEL_30/40V
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IPG20N04S409ATMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jun 19 - Jun 23 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IPG20N04S409ATMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	IPG20N04S409ATMA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Standard
Drain-Source-Spannung (vdss):	40V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	20A (Tc)
rds auf (max) @ id, vgs:	8.6mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 22µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	28nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	2250pF @ 25V
Leistung max:	54W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-PowerVDFN
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TDSON-8-10

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