CSD87312Q3E | Texas Instruments CSD87312Q3E | CSD87312Q3E Inventory, Best Pricing

CSD87312Q3E

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Artikelnummer	CSD87312Q3E
LIXINC Part #	CSD87312Q3E
Hersteller	Texas Instruments
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	CSD87312Q3E PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jun 04 - Jun 08 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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CSD87312Q3E Spezifikationen

Artikelnummer:	CSD87312Q3E
Marke:	Texas Instruments
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	Texas Instruments
Serie:	NexFET™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual) Common Source
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	30V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	27A
rds auf (max) @ id, vgs:	33mOhm @ 7A , 8V
vgs(th) (max) @ id:	1.3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	8.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1250pF @ 15V
Leistung max:	2.5W
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-PowerTDFN
Gerätepaket des Lieferanten:	8-VSON (3.3x3.3)

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