MJE181G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor MJE181G

MJE181G

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Artikelnummer	MJE181G
LIXINC Part #	MJE181G
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung	TRANS NPN 60V 3A TO225AA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MJE181G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	May 17 - May 21 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

MJE181G Spezifikationen

Artikelnummer:	MJE181G
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN
Strom - Kollektor (ic) (max):	3 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	60 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	1.7V @ 600mA, 3A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	50 @ 100mA, 1V
Leistung max:	1.5 W
Frequenz - Übergang:	50MHz
Betriebstemperatur:	-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-225AA, TO-126-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-225AA

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