RN1422TE85LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN1422TE85LF

RN1422TE85LF

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Artikelnummer	RN1422TE85LF
LIXINC Part #	RN1422TE85LF
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Beschreibung	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	RN1422TE85LF PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jun 15 - Jun 19 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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RN1422TE85LF Spezifikationen

Artikelnummer:	RN1422TE85LF
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (ic) (max):	800 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	50 V
Widerstand - Basis (r1):	2.2 kOhms
Widerstand - Emitter Basis (r2):	2.2 kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	65 @ 100mA, 1V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	250mV @ 1mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	500nA
Frequenz - Übergang:	300 MHz
Leistung max:	200 mW
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten:	S-Mini

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