MUN2113T1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor MUN2113T1G

MUN2113T1G

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Artikelnummer	MUN2113T1G
LIXINC Part #	MUN2113T1G
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Beschreibung	TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MUN2113T1G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	May 18 - May 22 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

MUN2113T1G Spezifikationen

Artikelnummer:	MUN2113T1G
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (ic) (max):	100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	50 V
Widerstand - Basis (r1):	47 kOhms
Widerstand - Emitter Basis (r2):	47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	80 @ 5mA, 10V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	500nA
Frequenz - Übergang:	-
Leistung max:	230 mW
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten:	SC-59

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