NSVMMUN2233LT3G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NSVMMUN2233LT3G

NSVMMUN2233LT3G

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Artikelnummer	NSVMMUN2233LT3G
LIXINC Part #	NSVMMUN2233LT3G
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Beschreibung	TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NSVMMUN2233LT3G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jun 03 - Jun 07 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NSVMMUN2233LT3G Spezifikationen

Artikelnummer:	NSVMMUN2233LT3G
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (ic) (max):	100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	50 V
Widerstand - Basis (r1):	4.7 kOhms
Widerstand - Emitter Basis (r2):	47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	80 @ 5mA, 10V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	250mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	500nA
Frequenz - Übergang:	-
Leistung max:	246 mW
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten:	SOT-23-3 (TO-236)

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