EPC is the leader in enhancement mode gallium nitride based power management devices. EPC was the first to introduce enhancement-mode gallium-nitride-on-silicon (eGaN®) FETs as power MOSFET replacements in applications such as DC-DC converters, wireless power transfer, envelope tracking, RF transmission, power inverters, remote sensing technology (LiDAR), and class-D audio amplifiers with device performance many times greater than the best silicon power MOSFETs.
EPC2203

EPC2203

EPC

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GANFET N-CH 80V 1.7A DIE

11.385

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EPC2219

EPC2219

EPC

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TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE

10.794

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EPC2012C

EPC2012C

EPC

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GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE

30.135

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EPC2015C

EPC2015C

EPC

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GANFET N-CH 40V 53A DIE

17.018

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EPC2010C

EPC2010C

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GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE

12.046

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EPC2022

EPC2022

EPC

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GANFET N-CH 100V 60A DIE

10.895

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EPC2014C

EPC2014C

EPC

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GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE

29.528

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EPC2020

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EPC

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GANFET N-CH 60V 90A DIE

16.433

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EPC8009

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EPC

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GANFET N-CH 65V 2.7A DIE

13.013

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EPC2039

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EPC

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GANFET N-CH 80V 6.8A DIE

90.088

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